碳化硅作為一種重要的結(jié)構(gòu)陶瓷材料，憑借其優(yōu)異的高溫力學強度、高硬度、高彈性模量、高耐磨性、高導熱性、耐腐蝕性等性能，不僅應用于高溫窯具、燃燒噴嘴、熱交換器、密封環(huán)、滑動軸承等傳統(tǒng)工業(yè)領(lǐng)域，還可作為防彈裝甲材料、空間反射鏡、半導體晶圓制備中夾具材料及核燃料包殼材料。

隨著科技的不斷發(fā)展，碳化硅陶瓷在半導體領(lǐng)域的應用需求量急劇增長，而高熱導率是其應用于半導體制造設(shè)備元器件的關(guān)鍵指標，因此加強高導熱碳化硅陶瓷的研究至關(guān)重要。減少晶格氧含量、提高致密性、合理調(diào)控第二相在晶格中的分布方式是提高碳化硅陶瓷熱導率的主要方法。

目前，我國有關(guān)高導熱碳化硅陶瓷的研究較少，且與世界水平相比尚存在較大差距，今后的研究方向包括：1）加強碳化硅陶瓷粉體的制備工藝研究，高純、低氧碳化硅粉的制備是實現(xiàn)高熱導率碳化硅陶瓷制備的基礎(chǔ)；2）加強燒結(jié)助劑的選擇及其相關(guān)理論研究；3）加強高端燒結(jié)裝備的研發(fā)，通過調(diào)控燒結(jié)工藝得到合理的顯微結(jié)構(gòu)是獲得高熱導率碳化硅陶瓷的必備條件。