近二十年來碳化硅半導(dǎo)體材料開始被行內(nèi)人士重視，因?yàn)樗性S多優(yōu)勢(shì)。早在上世記50年代，在黃昆、謝希德合著的“半導(dǎo)體物理學(xué)”著作中已介紹了半導(dǎo)體碳化硅。最早進(jìn)入制作半導(dǎo)體器件的材料是鍺，隨后，硅和三、五族半導(dǎo)體材料登上了歷史舞臺(tái)。直至如今電力電子領(lǐng)域的晶閘管和IGBT等高壓、大電流器件仍是使用硅單晶材料。由于碳化硅器件設(shè)計(jì)理論有所突破，人們對(duì)更高性能的大功率半導(dǎo)體器件的期望也越來越迫切。世界不少大型半導(dǎo)體公司紛紛開發(fā)降低碳化硅器件溝道電阻并且降低整個(gè)器件功耗的技術(shù)。目前,低功耗的碳化硅器件已經(jīng)從實(shí)驗(yàn)室進(jìn)入了實(shí)用器件生產(chǎn)階段，通過不斷的研究開發(fā),碳化硅器件將主宰功率器件的市場(chǎng)。