碳化硅納米材料具有高的禁帶寬度，高的臨界擊穿電場和熱導(dǎo)率，小的介電常數(shù)和較高的電子飽和遷移率，以及抗輻射能力強(qiáng)，機(jī)械性能好等特性，成為制作高頻、大功率、低能耗、耐高溫和抗輻射器件的電子和光電子器件的理想材料。碳化硅 納米線表現(xiàn)出的室溫光致發(fā)光性，使其成為制造藍(lán)光發(fā)光二極管和激光二極管的理想材料。

  近年來的研究表明:微米級SiC晶須已被應(yīng)用于增強(qiáng)陶瓷基、金屬基和聚合物基復(fù)合材料，這些復(fù)合材料均表現(xiàn)出良好的機(jī)械性能，可以想象用強(qiáng)度硬度更高及長徑比更大的碳化硅 一維納米材料作為復(fù)合材料的增強(qiáng)相，將會使其性能得到進(jìn)一步增強(qiáng)。碳化硅一維納米材料具有閾值場強(qiáng)低，電流密度大，高溫穩(wěn)定性好等優(yōu)異特點(diǎn)可望作為電場發(fā)射材料，利用這一特性可制成第三代新型電子光源，并將在圖像顯示技術(shù)方面發(fā)揮巨大作用。隨著研究的深入，研究者還發(fā)現(xiàn)一維SiC納米結(jié)構(gòu)在儲氫、光催化和傳感等領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用前景。

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