據(jù)碳化硅相關(guān)行業(yè)網(wǎng)站最新消息：目前，在全球LED芯片銷售排行上，日本日亞化學(xué)、美國(guó)CREE以及德國(guó)OSRAM位居前三甲。不過(guò)，隨著日本東芝公司計(jì)劃投資300億~500億日元擴(kuò)張到LED領(lǐng)域，國(guó)內(nèi)LED照明產(chǎn)業(yè)也將迎來(lái)產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇。

  眾所周知，長(zhǎng)久以來(lái)作為L(zhǎng)ED的核心部件是“芯片”。其中，襯底材料和晶元生長(zhǎng)技術(shù)又是LED芯片技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵。目前，在市面上常見的襯底材料主要有三種：藍(lán)寶石(Al2O3)、硅(Si)、碳化硅(Sic)。其中，碳化硅微粉作為一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，也是目前發(fā)展最為成熟的第三代半導(dǎo)體材料。由于碳化硅所具有的優(yōu)良的熱學(xué)、力學(xué)、化學(xué)和電學(xué)性質(zhì)，不但是制作高溫、高頻、大功率電子器件的最佳材料之一，同時(shí)又可以用作基于氮化鎵的藍(lán)光發(fā)光二極管的襯底材料，可廣泛應(yīng)用在電力電子領(lǐng)域、微波器件領(lǐng)域和LED光電子領(lǐng)域。

  事實(shí)證明寬帶隙半導(dǎo)體材料碳化硅所制作的功率器件可以承受更高電源、更大電路、耗盡層可以做得更薄，因而工作速度更快、器件體積更小、重量更輕。其實(shí)在微波器件領(lǐng)域，碳化硅早在2006年就完全替代了藍(lán)寶石作為氮化鎵外延襯底。

  隨著國(guó)內(nèi)碳化硅企業(yè)研發(fā)力量和科研投入的不斷加強(qiáng)，碳化硅作為最重要的襯底材料未來(lái)在LED照明產(chǎn)業(yè)必將起到無(wú)可替代的作用。