鋁碳化硅（AlSiC）材料具有以下性能特性：

1）AlSiC具有高導熱率（170～200W/mK）和可調(diào)的熱膨脹系數(shù)（6.5～9.5×10-6/K），可提升器件散熱性能的同時，其熱膨脹系數(shù)與半導體芯片和陶瓷基片實現(xiàn)良好的匹配，能夠防止疲勞失效的產(chǎn)生，甚至可以將功率芯片直接安裝到AlSiC基板上；

2）AlSiC是復合材料，其熱膨脹系數(shù)等性能可通過改變其組成而加以調(diào)整，因此電子產(chǎn)品可按用戶的具體要求而靈活地設(shè)計，這是傳統(tǒng)的金屬材料或陶瓷材料無法作到的；

3）AlSiC的密度與鋁相當，比銅和Kovar輕得多，還不到Cu/W的五分之一，特別適合于便攜式器件、航空航天和其他對重量敏感領(lǐng)域的應用；

4）AlSiC的比剛度（剛度除以密度）是所有電子材料中最高的：是鋁的3倍，是W-Cu和Kovar的5倍，是銅的25倍，另外AlSiC的抗震性比陶瓷好，因此是惡劣環(huán)境（震動較大，如航天、汽車等領(lǐng)域）下的首選材料；

5）AlSiC可以大批量加工，但加工的工藝取決于碳化硅的含量，可以用電火花、金剛石、激光等加工；

6）AlSiC可以鍍鎳、金、錫等，表面也可以進行陽極氧化處理；

7）金屬化的陶瓷基片可以釬焊到鍍好的AlSiC基板上，用粘結(jié)劑、樹脂可以將印制電路板芯與AlSiC粘合；

8）AlSiC本身具有較好的氣密性；

9）AlSiC的物理性能及力學性能都是各向同性的，其產(chǎn)品性能均勻度較高。

由于AlSiC電子封裝材料及構(gòu)件具有高彈性模量、高熱導率、低密度的優(yōu)點，而且可通過SiC體積分數(shù)和粘接劑添加量等來調(diào)整膨脹系數(shù)，實現(xiàn)與GaAs芯片和氧化鋁、氮化鋁等基板的熱匹配；同時可近凈成形形狀復雜的構(gòu)件，因此生產(chǎn)成本也較低，使其在微波集成電路、功率模塊和微處器蓋板及散熱板等領(lǐng)域得到廣泛應用。