Si和SiC作為半導(dǎo)體材料幾乎同時被提出，但由于SiC生長技術(shù)的復(fù)雜和缺陷、多型現(xiàn)象的存在，其發(fā)展曾一度被擱淺。SiC的發(fā)展歷經(jīng)了多個重要階段。第一個階段是結(jié)構(gòu)基本性質(zhì)和生長技術(shù)的探索階段，時間跨度從1924年發(fā)現(xiàn)SiC結(jié)構(gòu)至1955年Lely法的提出。第二階段是物理基本性質(zhì)研究和英寸級別單晶生長的技術(shù)積累階段。在此階段物理氣相傳輸(PVT)生長方法基本確定、摻雜半絕緣技術(shù)被提出，至1994年Wolfspeed推出了商用的2英寸(50.8mm)SiC襯底材料。從1994年以后，隨著國際上半導(dǎo)體照明及2英寸SiC單晶襯底的突破性進展，掀起了全球SiC器件及相關(guān)技術(shù)的研究熱潮。

2015年美國Ⅱ-Ⅵ公司首次研制成功8英寸SiC單晶襯底，美國Wolfspeed、Ⅱ-Ⅵ公司均于2019年宣布開始建設(shè)8英寸SiC單晶襯底生產(chǎn)線。美國Wolfspeed公司最早研究和生產(chǎn)SiC晶體和晶片，1991年推出商品化2英寸6H-SiC單晶片，并于1994年研發(fā)出2英寸4H-SiC單晶，1999年推出商品化3英寸6H-SiC單晶片，并于2004年研發(fā)出3英寸4H-SiC單晶，2007年推出4英寸“零微管”4H-SiC單晶片，2010年發(fā)布6英寸SiC單晶襯底試樣，并于2013年推出商品化6英寸SiC單晶襯底，2015年在ICSCＲM國際會議上展示了其8英寸SiC單晶襯底試樣，于2019年10月在紐約州立理工學(xué)院奧爾巴尼分校完成了首批8英寸SiC晶圓樣品的制備。

目前國內(nèi)已實現(xiàn)了6英寸SiC襯底的量產(chǎn)，山東天岳、天科合達、河北同光、中科節(jié)能等公司通過與山東大學(xué)、中科院物理所和中科院半導(dǎo)體所等科研院所的“產(chǎn)學(xué)研用”合作，均已完成6英寸SiC襯底的研發(fā)，天科合達已于2020年啟動8英寸SiC單晶襯底的研發(fā)工作，我國在SiC單晶襯底技術(shù)上已初步形成自主技術(shù)體系。