一、大尺寸SiC單晶襯底制備技術(shù)仍不成熟。

目前國際上已經(jīng)開發(fā)出了8英寸SiC單晶樣品，單晶襯底尺寸仍然偏小、缺陷水平仍然偏高。并且缺乏更高效的SiC單晶襯底加工技術(shù)；p型襯底技術(shù)的研發(fā)較為滯后。

二、n型SiC外延生長技術(shù)有待進(jìn)一步提高。

三、SiC功率器件的市場優(yōu)勢尚未完全形成，尚不能撼動目前硅功率半導(dǎo)體器件市場上的主體地位。

國際SiC器件領(lǐng)域：SiC功率器件向大容量方向發(fā)展受限制；SiC器件工藝技術(shù)水平比較低；缺乏統(tǒng)一的測試評價標(biāo)準(zhǔn)。

中國SiC功率器件領(lǐng)域存在以下3個方面差距：

（1）在SiCMOSFET器件方面的研發(fā)進(jìn)展緩慢，只有少數(shù)單位具備獨(dú)立的研發(fā)能力，產(chǎn)業(yè)化水平不容樂觀。

（2）SiC芯片主要的工藝設(shè)備基本上被國外公司所壟斷，特別是高溫離子注入設(shè)備、超高溫退火設(shè)備和高質(zhì)量氧化層生長設(shè)備等，國內(nèi)大規(guī)模建立SiC工藝線所采用的關(guān)鍵設(shè)備基本需要進(jìn)口。

（3）SiC器件高端檢測設(shè)備被國外所壟斷。

四、目前SiC功率模塊存在的主要問題：

（1）采用多芯片并聯(lián)的SiC功率模塊，會產(chǎn)生較嚴(yán)重的電磁干擾和額外損耗，無法發(fā)揮SiC器件的優(yōu)良性能；SiC功率模塊雜散參數(shù)較大，可靠性不高。

（2）SiC功率高溫封裝技術(shù)發(fā)展滯后。

五、SiC功率器件的驅(qū)動技術(shù)尚不成熟。

六、SiC器件的應(yīng)用模型尚不能全面反映SiC器件的物理特性。一般只適合于對精度要求較低的常規(guī)工業(yè)場合。