當(dāng)前以碳化硅半導(dǎo)體材料為代表的新材料研發(fā)和生產(chǎn)，現(xiàn)已成為實(shí)現(xiàn)我國材料強(qiáng)國夢的重要組成部分。由于我國在第一代、第二代半導(dǎo)體領(lǐng)域的研討和開發(fā)嚴(yán)峻落后于歐美日等興旺國家和地區(qū)，每年都要進(jìn)口上千億美元以上的電子器材。

　　在當(dāng)今科技創(chuàng)新日益發(fā)展的年代，以碳化硅半導(dǎo)體為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料的研發(fā)現(xiàn)已得到許多國家的高度重視。因?yàn)樘蓟璋雽?dǎo)體襯底材料可制造大功率、高熱導(dǎo)率的高頻率微波器材、功率器材和照明器材，具有十分顯著的性能優(yōu)勢。因此，碳化硅半導(dǎo)體科技被許多發(fā)達(dá)國家和地區(qū)政府列入國家戰(zhàn)略，投入大量資金進(jìn)行扶持。

　　金蒙新材料公司生產(chǎn)的高品質(zhì)碳化硅微粉屬于寬禁帶半導(dǎo)體，具有很多優(yōu)秀的物理特性，例如(1)大概10倍的電場強(qiáng)度;(2)大概高3倍的熱導(dǎo)率;(3)大概寬3倍禁帶寬度;(4)大概高一倍的飽滿漂移速度。因而被廣泛應(yīng)用在此類行業(yè)領(lǐng)域。