什么是SiCf/SiC復(fù)合材料[ 08-30 16:24 ]

SiCf/SiC陶瓷基復(fù)合材料是指在SiC陶瓷基體中引入SiC纖維作為增強(qiáng)材料，形成以引入的SiC增強(qiáng)纖維為分散相，以SiC陶瓷基體為連續(xù)相的復(fù)合材料。SiCf/SiC陶瓷基復(fù)合材料保留了SiC陶瓷耐高溫、高強(qiáng)度、抗氧化、耐腐蝕、耐沖擊的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)兼具SiC纖維增強(qiáng)增韌作用，克服了SiC陶瓷斷裂韌性低和抗外部沖擊載荷性能差的先天缺陷。SiCf/SiC復(fù)合材料作為一種綜合性能優(yōu)異的高溫?zé)峤Y(jié)構(gòu)材料，在航空、航天、核能、汽車等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景，成為目前各個(gè)西方國家的研究熱點(diǎn)。

C/SiC陶瓷基復(fù)合材料應(yīng)用[ 08-29 17:21 ]

碳纖維不僅具有密度低、比強(qiáng)度高、耐磨、耐腐蝕、導(dǎo)電、導(dǎo)熱、摩擦系數(shù)低等特性，而且還具備十分優(yōu)異的高溫力學(xué)性能，其在惰性氣氛、2000℃以上環(huán)境中，力學(xué)性能仍然不下降。但其高溫抗氧化性較差，因此通常與金屬、陶瓷、樹脂等復(fù)合，制備應(yīng)用于航空航天、軍事工業(yè)等尖端技術(shù)領(lǐng)域的先進(jìn)復(fù)合材料。 在熱結(jié)構(gòu)陶瓷基復(fù)合材料領(lǐng)域中，碳化硅以其優(yōu)異的高溫力學(xué)性能（強(qiáng)度、抗氧化性、抗蠕變性等）、低的熱膨脹系數(shù)和摩擦系數(shù)、優(yōu)良的導(dǎo)熱和導(dǎo)電性，成為基體材料的主要候選之一。然而SiC陶瓷的缺點(diǎn)是脆性較大。 C/SiC陶瓷基復(fù)合材料通過

SiC晶圓材料主要加工工藝[ 08-13 15:29 ]

碳化硅(SiC)材料具有尺寸穩(wěn)定性好、彈性模量大、比剛度大、導(dǎo)熱性能好和耐腐蝕等性能，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光學(xué)鏡面、機(jī)械密封等現(xiàn)代工業(yè)領(lǐng)域，許多領(lǐng)域往往對(duì)其表面加工質(zhì)量有較高的要求，SiC的表面平坦化質(zhì)量直接影響制件性能，決定了制件的成品率。隨著SiC的應(yīng)用和發(fā)展逐步廣泛和深入，其加工精度要求日益增長。但SiC屬于典型的脆硬性材料，其平坦化加工時(shí)在力的作用下易產(chǎn)生微裂紋，亞表層缺陷多，使得該材料面臨加工效率低、加工困難及加工成本居高不下等問題，制約了其大規(guī)模應(yīng)用和推廣。 目前SiC材料加工工藝主要有以下幾道工序

Al2O3-SiC-C澆注料中碳氧化的問題[ 08-10 11:30 ]

高爐煉鐵是鋼鐵工業(yè)普遍采用的煉鐵工藝流程。在相當(dāng)長時(shí)間內(nèi)，高爐煉鐵仍將是煉鐵工藝的首*選。高爐出鐵溝是鐵水和爐渣熔化后的必要通道。高爐出鐵溝澆注料是保障高爐出鐵溝出鐵安全、穩(wěn)定、高效運(yùn)行的基礎(chǔ)，延長高爐出鐵溝澆注料的使用壽命可以有效降低煉鐵成本和提高生產(chǎn)效率。因此，它是煉鐵工藝中的基礎(chǔ)和關(guān)鍵耐火材料之一。 由于出鐵溝頻繁受到高溫鐵水和熔渣的機(jī)械沖蝕和侵蝕，所以出鐵溝澆注料必須具有優(yōu)良的抗熱沖擊性和抗渣性。Al2O3-SiC-C澆注料因具有良好的抗侵蝕性和抗熱震性等優(yōu)點(diǎn)，是當(dāng)今國內(nèi)外高爐出鐵溝工作襯的普遍選擇。Al

碳化硅器件被譽(yù)為帶動(dòng)“新能源革命”的“綠色能源器件”[ 07-19 16:23 ]

2018年，特斯拉在Model3電驅(qū)主逆變器上，率先采用了意法半導(dǎo)體供應(yīng)的650VSiCMOSFET器件，碳化硅器件開始逐漸成為市場發(fā)展的熱點(diǎn)。碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體是支撐新能源汽車發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)之一。其中碳化硅功率模塊是新能源汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的關(guān)鍵部件，具備耐高壓、耐高溫、高開關(guān)頻率、低開關(guān)損耗等特點(diǎn)，對(duì)整車的主要技術(shù)指標(biāo)和整體性能有著重要影響。 碳化硅SiC是高溫、高頻、抗輻射、大功率應(yīng)用場合下極為理想的半導(dǎo)體材料。由于碳化硅功率器件可顯著降低電子設(shè)備的能耗，因此碳化硅器件也被譽(yù)為帶動(dòng)“新