推薦產(chǎn)品
聯(lián)系金蒙新材料
- 第三代半導(dǎo)體材料發(fā)展新方向[ 11-29 15:02 ]
- 眾所周知，采用第三代半導(dǎo)體材料的目的是為了提高產(chǎn)品效率和功率密度。大功率產(chǎn)品主要是Si IGBT向SiC MOSFET發(fā)展，目前在車載應(yīng)用方面已經(jīng)開始全面替換，其效率的提升以及重量的減輕直接提高了電動車的續(xù)航能力。而中小功率產(chǎn)品是Si MOSFET向GaN HEMT發(fā)展，主要應(yīng)用是數(shù)據(jù)中心電源及充電適配器。 數(shù)據(jù)中心消耗的能源大概占總發(fā)電量的10%左右，采用第三代半導(dǎo)體材料GaN設(shè)計的電源能夠使效率提高3到5個點，從而節(jié)省全國千分之三到千分之五的電力消耗。這對于碳中和有非常重要的意義。充電適配器方面，采用氮化鎵可
- GaN和SiC材料的技術(shù)難點和特點[ 11-29 14:59 ]
- 目前，第三代半導(dǎo)體材料GaN和SiC已經(jīng)得到了市場認可和高度關(guān)注。在功率半導(dǎo)體的范疇，業(yè)內(nèi)人士認為，除了LED發(fā)光和射頻，第三代半導(dǎo)體材料SiC的技術(shù)難點主要在于襯底缺陷的控制。當(dāng)前低缺陷密度的襯底材料主要是歐美及日本廠商生產(chǎn)，國內(nèi)想要突破還需要相當(dāng)長的一段時間。 同時第三代半導(dǎo)體材料SiC工藝控制難度高、產(chǎn)品批次性波動大導(dǎo)致良率偏低以及主要材料供應(yīng)被壟斷，甚至推導(dǎo)到市場價格一直居高不下，目前只限定在部分應(yīng)用市場。但相比SiC更低損耗、更高效率以及高電壓耐高溫等一系列自身特點而言，第三代半導(dǎo)體材料SiC的應(yīng)用已經(jīng)
- 初識陶瓷耐磨材料--碳化硅[ 11-29 14:54 ]
- 目前常用的耐磨材料主要有金屬耐磨材料、高分子耐磨材料、陶瓷耐磨材料等。金屬耐磨材料具有較高的強度、較高的硬度、較高的韌性和較高的耐磨損性等一系列優(yōu)異的特性，經(jīng)歷了高錳鋼、普通白口鑄鐵、鎳硬鑄鐵到高鉻鑄鐵的幾個階段。到目前為止，性能最優(yōu)異的有耐磨鋼、耐磨鑄鐵兩大類。其中耐磨鋼除了傳統(tǒng)的奧氏體錳鋼及改性高錳鋼、中錳鋼以外，根據(jù)碳含量的不同又通常分為中碳、中高碳、高碳合金耐磨鋼；根據(jù)合金元素含量的不同又分為低合金、中合金及高合金耐磨鋼；根據(jù)組織結(jié)構(gòu)的不同又分為奧氏體、貝氏體、馬氏體耐磨鋼。耐磨鑄鐵中的普通白口鑄鐵、低碳白
- 碳化硅耐磨材料的結(jié)構(gòu)與性能[ 11-29 14:52 ]
- 自從美國人阿奇遜在1891年偶然發(fā)現(xiàn)SiC材料以來，SiC已成為人們廣泛利用的非氧化物陶瓷材料。SiC是以共價鍵為主的共價化合物，由于硅與碳兩元素在形成SiC晶體時，SiC原子中S→P電子的遷移導(dǎo)致能量穩(wěn)定的sp3雜化排列，從而形成具有金剛石結(jié)構(gòu)的SiC。因此它的基本單位為四面體。所有SiC均由SiC四面體堆積而成，所不同的是平行結(jié)合還是反平行結(jié)合。SiC大概有100種變體，如а-SiC、β-SiC、4H-SiC、15R-SiC和6H-SiC等，所有這些變形體結(jié)構(gòu)又可分為立方晶系、六方晶系、和菱
- 碳化硅耐磨材料的應(yīng)用[ 11-29 14:47 ]
- 碳化硅耐磨材料的應(yīng)用 由于碳化硅陶瓷所具有的耐高溫（2200K以上）、高彈性模量、抗渣能力強、耐沖刷性能、高熱導(dǎo)、低熱膨脹、耐磨損、優(yōu)異的熱穩(wěn)定性、抗氧化性較強并具有較高的高溫強度，使得碳化硅陶瓷得到了廣泛的應(yīng)用，主要應(yīng)用于以下幾個方面：1. 用作耐磨零部件 譬如生產(chǎn)中常用的密封環(huán)，這是由于碳化硅材料具有的強度高、硬度大、摩擦系數(shù)小、耐酸堿、耐高溫等一些列特性。特別適合應(yīng)用于工況條件比較差的密封環(huán)和其它耐磨零部件。當(dāng)碳化硅與活性炭進行配合時，摩擦系數(shù)小，特別適用于運送強酸堿的管道和
