Microchip推出3.3kV碳化硅(SiC)功率器件[ 04-09 16:06 ]

近期，Microchip宣布擴(kuò)展其SiC產(chǎn)品組合，推出業(yè)界最低導(dǎo)通電阻[RDS(on)]3.3kVSiCMOSFET和最高額定電流SiCSBD。 Microchip分立產(chǎn)品業(yè)務(wù)部副總裁LeonGross表示：我們新的3.3kVSiC功率產(chǎn)品系列使客戶能夠輕松、快速、自信地轉(zhuǎn)向高壓SiC，并受益于這種令人興奮的技術(shù)相對(duì)于基于硅設(shè)計(jì)的諸多優(yōu)勢(shì)。”

安森美利用SiC/GaN推出大功率圖騰柱PFC控制器[ 04-09 09:01 ]

近日，安森美推出了全新的大功率圖騰柱PFC控制器，這是一款利用圖騰柱PFC技術(shù)實(shí)現(xiàn)高效電源的產(chǎn)品。 除了圖騰柱PFC控制器，Onsemi還為圖騰柱的評(píng)估板提供SiCMOSFET和GaNHEMT。使用Si-MOSFET用于交流線路同步整流器；利用GaNHEMT單元用于高速開關(guān)。 圖騰柱PFC

英飛凌推出全新 CoolSiC MOSFET[ 04-08 13:50 ]

近日，英飛凌宣布在其現(xiàn)有的高壓碳化硅(SiC)MOSFETCoolSic系列中增加一個(gè)650V系列。 該產(chǎn)品建立在其先進(jìn)的SiC溝槽技術(shù)之上。與上一代硅(Si)半導(dǎo)體相比，這些650V系列MOSFET的反向恢復(fù)電荷(Qrr)和漏源電荷(Qoss)降低了80%，即使在較高電流下也能實(shí)現(xiàn)出色的開關(guān)性能。這些降低的開關(guān)損耗允許高頻、高效操作，從而能夠使用更小的濾波組件，并最終提高功率密度。

AehrTestSystems宣布：收到2230萬(wàn)碳化硅晶圓訂單[ 04-07 13:41 ]

近日，AehrTestSystems宣布，其領(lǐng)先的碳化硅已收到超過350萬(wàn)美元（2230萬(wàn)人民幣）的訂單WaferPak™全晶圓接觸器的測(cè)試和老化客戶，用于多種新的碳化硅器件設(shè)計(jì)以及多個(gè)碳化硅器件的批量生產(chǎn)能力訂單，這些器件現(xiàn)在正在加速生產(chǎn)以滿足電動(dòng)汽車(EV)半導(dǎo)體的批量生產(chǎn)能力。 Aehr的FOX-XP系統(tǒng)和WaferPaks不僅支持目前大量出貨的6英寸（150毫米）直徑碳化硅晶圓，而且還支持未來(lái)的8英寸（200毫米）晶圓。

國(guó)星光電：SiC功率分立器件已完成多個(gè)試產(chǎn)訂單[ 04-06 13:39 ]

近日，國(guó)星光電發(fā)布年度業(yè)績(jī)報(bào)告，報(bào)告期內(nèi)推出了SiC功率分立器件、SiC功率模塊、GaN器件3大系列產(chǎn)品。 其中，SiC功率模塊及GaN器件新品實(shí)驗(yàn)線已投入生產(chǎn)運(yùn)作，可迅速響應(yīng)對(duì)接客戶個(gè)性化的需求；SiC功率分立器件產(chǎn)品產(chǎn)線已投入使用，并完成了多個(gè)合作商的試產(chǎn)訂單。同時(shí)，他們也積極布局三代半上游外延芯片領(lǐng)域，子公司國(guó)星半導(dǎo)體現(xiàn)已具備硅基GaN芯片相關(guān)技術(shù)儲(chǔ)備，并積極與高校和研究所展開GaN功率器件等的研發(fā)工作，并參與了兩項(xiàng)第三代半導(dǎo)體方向的省級(jí)研發(fā)項(xiàng)目。