8月12日消息，經(jīng)過(guò)晶體實(shí)驗(yàn)室研發(fā)團(tuán)隊(duì)半年多的技術(shù)攻關(guān)，晶盛首顆8英寸N型SiC晶體成功出爐，標(biāo)志著晶盛第三代半導(dǎo)體材料SiC研發(fā)自此邁入8英寸時(shí)代，同時(shí)這也是晶盛在寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域取得的又一標(biāo)志性成果。

據(jù)了解，此次研發(fā)成功的8英寸SiC晶體，晶坯厚度25mm，直徑214mm，是晶盛在大尺寸SiC晶體研發(fā)上取得的重大突破。

在技術(shù)上，晶盛成功解決了8英寸晶體生長(zhǎng)過(guò)程中多個(gè)難點(diǎn)問(wèn)題，比如溫場(chǎng)不均、晶體開(kāi)裂、氣相原料分布等等。

此外，還破解了SiC器件成本中襯底占比過(guò)高的難題，為大尺寸SiC襯底廣泛應(yīng)用打下基礎(chǔ)。

SiC晶體生長(zhǎng)和加工技術(shù)自主可控是搶占未來(lái)競(jìng)爭(zhēng)制高點(diǎn)的關(guān)鍵。晶盛機(jī)電通過(guò)自主開(kāi)發(fā)的設(shè)備、熱場(chǎng)和工藝技術(shù)，不斷延伸產(chǎn)品系列。

2017年，晶盛開(kāi)始布局碳化硅業(yè)務(wù)。

2020年，建立長(zhǎng)晶和加工中試線，SiC晶體直徑也從最初的4英寸增大到如今的8英寸，進(jìn)一步縮小國(guó)內(nèi)外技術(shù)差距，保障我國(guó)碳化硅產(chǎn)業(yè)在關(guān)鍵核心技術(shù)上的自主可控。

而此次8英寸SiC導(dǎo)電單晶研制成功，也極大地提升了晶盛在SiC單晶襯底行業(yè)的國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力。

據(jù)悉，晶盛機(jī)電創(chuàng)建于2006年12月，目前已組建原料合成+長(zhǎng)晶+切磨拋的中試產(chǎn)線,，并完成6-8英寸長(zhǎng)晶熱場(chǎng)和設(shè)備開(kāi)發(fā)，產(chǎn)出6英寸襯底，在總厚度變化率（TTV）可穩(wěn)定達(dá)到＜3μm。

據(jù)悉，晶盛機(jī)電攜碳化硅襯底晶片生產(chǎn)項(xiàng)目落戶寧夏。該項(xiàng)目總投資50億元，該項(xiàng)目分兩期建設(shè)，將建設(shè)約7.5萬(wàn)平方米廠房及輔助設(shè)施，主要生產(chǎn)6英寸及以上導(dǎo)電型和半絕緣型碳化硅襯底晶片。一期預(yù)計(jì)3月開(kāi)工建設(shè)，投資總額33.6億元，一期建成達(dá)產(chǎn)后預(yù)計(jì)年產(chǎn)6英寸碳化硅晶片40萬(wàn)片，年?duì)I業(yè)收入24億元。