據粉體圈整理消息：8月22日，牛津儀器（OxfordInstrumentsplc）旗下等離子技術公司（PlasmaTechnology）推出一種新型SiC外延襯底化學機械拋光（CMP）的替代解決方案——等離子拋光干法蝕刻（PPDE），它不僅更清潔、環(huán)保、低成本，并且更穩(wěn)定。

CMP多年來一直是SiC襯底制備的最好選擇，但它存在不良率的頑疾，這在當前滿足SiC需求增長十分不利。首先，CMP漿料存在一定毒性，晶圓廠的CMP流程會對環(huán)境造成很大影響，并且大量消耗水資源；其次，CMP所須的拋光墊和特種化學品原材料成本高，且潛在供應鏈挑戰(zhàn)問題；最后，CMP工藝本質上會因為漿料中化學品和拋光墊的不斷消耗而導致效果漂移，最終產品不穩(wěn)定。

PlasmaTechnology的戰(zhàn)略業(yè)務發(fā)展總監(jiān)評論說，“選擇等離子表面處理來生產SiC外延襯底是一個非常有吸引力的提議，作為一種與當前方法相比的技術，它以更低的成本提供更好的結果，并實現了SiC器件的環(huán)境可持續(xù)生產。”牛津儀器等離子技術公司將在9月正式推出PPDE專利工藝，并討論工業(yè)生產中實施和替代CMP工藝。