碳化硅(SiC)是一種由硅(Si)和碳(C)組成的半導(dǎo)體化合物，屬于寬帶隙(WBG)材料系列。它的物理結(jié)合力非常強(qiáng)，使半導(dǎo)體具有很高的機(jī)械、化學(xué)和熱穩(wěn)定性。寬帶隙和高熱穩(wěn)定性允許SiC器件在高于硅的結(jié)溫下使用，甚至超過(guò)200°C。碳化硅在功率應(yīng)用中的主要優(yōu)勢(shì)是其低漂移區(qū)電阻，這是高壓功率器件的關(guān)鍵因素。

盡管是電子產(chǎn)品中使用最廣泛的半導(dǎo)體，但硅開(kāi)始顯示出一些局限性，尤其是在高功率應(yīng)用中。這些應(yīng)用中的一個(gè)相關(guān)因素是半導(dǎo)體提供的帶隙或能隙。當(dāng)帶隙很高時(shí)，它使用的電子設(shè)備可以更小、運(yùn)行得更快、更可靠。它還可以在比其他半導(dǎo)體更高的溫度、電壓和頻率下運(yùn)行。硅的帶隙約為1.12eV，而碳化硅的帶隙值約為3.26eV的近三倍。