碳化硅在電子領(lǐng)域有哪些應(yīng)用？
碳化硅是一種非常適合電力應(yīng)用的半導(dǎo)體，這主要?dú)w功于它能夠承受高電壓，比硅可使用的電壓高十倍。
基于碳化硅的半導(dǎo)體具有更高的熱導(dǎo)率、更高的電子遷移率和更低的功率損耗。
碳化硅二極管和晶體管還可以在更高的頻率和溫度下工作，而不會(huì)影響可靠性。
SiC器件的主要應(yīng)用，例如肖特基二極管和FET/MOSFET晶體管，包括轉(zhuǎn)換器、逆變器、電源、電池充電器和電機(jī)控制系統(tǒng)。
相關(guān)資訊
最新產(chǎn)品
同類(lèi)文章排行
- 國(guó)內(nèi)碳化硅功率器件離正式量產(chǎn)還有一段距離
- 國(guó)內(nèi)碳化硅外延的難點(diǎn)
- 國(guó)內(nèi)碳化硅襯底的難點(diǎn)
- 碳化硅功率器件的性能優(yōu)勢(shì)
- 三種生長(zhǎng)SiC單晶用SiC粉體制備方法的優(yōu)缺點(diǎn)
- 碳化硅晶圓生產(chǎn)用高純碳化硅粉制備方法
- 碳化硅粉在碳化硅晶圓生產(chǎn)中的應(yīng)用
- 碳化硅功率器件的多功能集成封裝技術(shù)和散熱技術(shù)介紹
- 碳化硅功率器件的高溫封裝技術(shù)介紹
- 碳化硅功率器件的低雜散電感封裝技術(shù)介紹
最新資訊文章
您的瀏覽歷史
