碳化硅防彈陶瓷的制備方法及工藝特點(diǎn)[ 02-13 09:13 ]

從陶瓷材料制備工藝的特點(diǎn)可以看出，目前工藝發(fā)展較為成熟的是反應(yīng)燒結(jié)、無(wú)壓燒結(jié)和液相燒結(jié)，這3種燒結(jié)方式的生產(chǎn)成本較低，制備工藝較簡(jiǎn)單，實(shí)現(xiàn)大批量生產(chǎn)的可能性較高。熱壓燒結(jié)和熱等靜壓燒結(jié)相對(duì)來(lái)說(shuō)會(huì)受到產(chǎn)品尺寸的限制，生產(chǎn)成本較高，成熟性較低。超高壓燒結(jié)、微波燒結(jié)、放電等離子燒結(jié)和等離子束熔融法綜合來(lái)說(shuō)成熟性最低，是較為新穎的制備手段，但對(duì)于技術(shù)和設(shè)備的要求較高，需要投入的生產(chǎn)費(fèi)用高，實(shí)現(xiàn)批量化的可行性較低，常用于實(shí)驗(yàn)探索階段，對(duì)實(shí)際應(yīng)用意義不大，較難實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。

碳化硅防彈陶瓷仍面臨升級(jí)和突破發(fā)展[ 02-12 09:15 ]

盡管碳化硅的防彈潛力非常大，但單相陶瓷斷裂韌性、脆性差的問(wèn)題卻不容忽視。而現(xiàn)代科技的發(fā)展對(duì)防彈陶瓷的功能性與經(jīng)濟(jì)性提出了要求：多功能、高性能、輕質(zhì)、低成本和安全性。因此，專家學(xué)者們近年來(lái)希望通過(guò)微觀調(diào)節(jié)包括多元陶瓷體系復(fù)合、功能梯度陶瓷、層狀結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)等來(lái)實(shí)現(xiàn)陶瓷的強(qiáng)韌化、輕量化和經(jīng)濟(jì)化，并且這樣的護(hù)甲相對(duì)于如今的裝甲重量輕，更好地提高了作戰(zhàn)單位的機(jī)動(dòng)性能。 功能梯度陶瓷即通過(guò)微觀設(shè)計(jì)組分材料性能呈規(guī)律性變化。比如硼化鈦與金屬鈦以及氧化鋁、碳化硅、碳化硼、氮化硅與金屬鋁等金屬/陶瓷復(fù)合體系，性能沿厚度位置呈梯度

防彈陶瓷對(duì)材料性能有哪些要求[ 02-11 08:53 ]

因?yàn)樘沾杀旧淼拇嘈?，其受到彈丸沖擊時(shí)發(fā)生斷裂而不是塑性變形。在拉伸載荷作用下，斷裂首先發(fā)生在非均質(zhì)處如孔隙和晶界上。因此，為使微觀應(yīng)力集中降低到最小程度，裝甲陶瓷應(yīng)當(dāng)是孔隙率低（達(dá)理論密度值的99%）和細(xì)晶粒結(jié)構(gòu)的高質(zhì)量陶瓷。 目前防彈陶瓷發(fā)展迅速，防彈陶瓷材料種類眾多，這幾種最常用，包括氧化鋁、碳化硅、碳化硼、氮化硅、硼化鈦等，其中以氧化鋁陶瓷(Al2O3)、碳化硅陶瓷(SiC)、碳化硼陶瓷(B4C)應(yīng)用最廣。  

不同防彈陶瓷材料性能對(duì)比[ 02-09 08:45 ]

自21世紀(jì)以來(lái)，防彈陶瓷發(fā)展迅速，種類較多，包括氧化鋁、碳化硅、碳化硼、氮化硅、硼化鈦等，其中以氧化鋁陶瓷(Al2O3)、碳化硅陶瓷(SiC)、碳化硼陶瓷(B4C)應(yīng)用最廣。氧化鋁陶瓷密度最高，但硬度相對(duì)較低，加工門(mén)檻較低，價(jià)格較低，依據(jù)純度分為85／90／95／99氧化鋁陶瓷，相應(yīng)的硬度和價(jià)格也依次增高。 碳化硅陶瓷密度相對(duì)較低，硬度較高，屬于性價(jià)比較高的結(jié)構(gòu)陶瓷，因此也是目前國(guó)內(nèi)應(yīng)用最廣的防彈陶瓷。 碳化硼陶瓷在這幾種陶瓷中密度最低，硬度最高，但同時(shí)其對(duì)加工工藝的要求也很高，需要高溫高壓燒結(jié)，因而成

SiC器件IGBT模塊是否有必要提高結(jié)溫[ 02-06 09:51 ]

眾所周知，SiC材料具有許多重要特性：其擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度是硅材料的10倍左右，最高結(jié)溫可達(dá)600℃……因此，SiC器件結(jié)構(gòu)具有天生的耐高溫能力，在真空條件下耐壓甚至可達(dá)400至600℃。SiCMOSFET自身?yè)p耗小，發(fā)熱量小，自身溫升相對(duì)較小。“SiC的導(dǎo)熱率比硅更好，（大約是硅的三倍），熔點(diǎn)更高（2830℃，而硅是1410℃），所以本質(zhì)上SiC的耐受溫度比硅高出很多。”所以，SiC更適合高溫工作環(huán)境。 2010年5月，一家頭部公司稱其新技術(shù)顯著提高了IGBT模