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聯(lián)系金蒙新材料
- 碳化硅陶瓷精密結(jié)構(gòu)部件制備工藝[ 07-07 15:39 ]
- 采用碳化硅作為光刻機(jī)等集成電路關(guān)鍵裝備用精密結(jié)構(gòu)件材料具有極大的優(yōu)勢。但是傳統(tǒng)的陶瓷制備工藝如注漿、干壓等很難實(shí)現(xiàn)諸如光刻機(jī)工作臺這類復(fù)雜部件的制備。為此，中國建材總院研發(fā)出一系列成型、燒結(jié)技術(shù)，解決了采用碳化硅材料制作此類部件的國產(chǎn)化問題。 碳化硅陶瓷具有高強(qiáng)度、高硬度、高彈性模量、高比剛度、高導(dǎo)熱系數(shù)、低熱膨脹系數(shù)等優(yōu)良性能，是一種理想的高性能結(jié)構(gòu)材料，但將其應(yīng)用于制備具有“大、厚、空、薄、輕、精”特點(diǎn)的光刻機(jī)等集成電路關(guān)鍵裝備用精密結(jié)構(gòu)件時(shí)，卻存在諸多的技術(shù)難點(diǎn)和挑戰(zhàn)，比如如何實(shí)
- 碳化硅陶瓷結(jié)構(gòu)件在光刻機(jī)中的應(yīng)用[ 07-06 16:37 ]
- 集成電路制造關(guān)鍵技術(shù)及裝備主要有包括光刻技術(shù)及光刻裝備、薄膜生長技術(shù)及裝備、化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)及裝備、高密度后封裝技術(shù)及裝備等，均涉及高效率、高精度、高穩(wěn)定性的運(yùn)動(dòng)控制技術(shù)和驅(qū)動(dòng)技術(shù)，對結(jié)構(gòu)件的精度和結(jié)構(gòu)材料的性能提出了極高的要求。 ●碳化硅工件臺 以光刻機(jī)中工件臺為例，該工件臺主要負(fù)責(zé)完成曝光運(yùn)動(dòng)，要求實(shí)現(xiàn)高速、大行程、六自由度的納米級超精密運(yùn)動(dòng)，如對于100nm分辨率、套刻精度為33nm和線寬為10nm的光刻機(jī)，其工件臺定位精度要求達(dá)到10nm，掩模-硅片同時(shí)步進(jìn)和掃描速度分別達(dá)到150nm/s和12
- 光刻機(jī)精密部件的主選材料--碳化硅陶瓷[ 07-05 14:29 ]
- 碳化硅陶瓷具有高的彈性模量和比剛度，不易變形，并且具有較高的導(dǎo)熱系數(shù)和低的熱膨脹系數(shù)，熱穩(wěn)定性高，因此碳化硅陶瓷是一種優(yōu)良的結(jié)構(gòu)材料，目前已經(jīng)廣泛應(yīng)用于航空、航天、石油化工、機(jī)械制造、核工業(yè)、微電子工業(yè)等領(lǐng)域。但是，由于碳化硅是Si-C鍵很強(qiáng)的共價(jià)鍵化合物，具有極高的硬度和顯著的脆性，精密加工難度大；此外，碳化硅熔點(diǎn)高，難以實(shí)現(xiàn)致密、近凈尺寸燒結(jié)。 因此，大尺寸、復(fù)雜異形中空結(jié)構(gòu)的精密碳化硅結(jié)構(gòu)件的制備難度較高，限制了碳化硅陶瓷在諸如集成電路這類的高端裝備制造領(lǐng)域中的廣泛應(yīng)用。目前只有日本、美國等少數(shù)幾個(gè)發(fā)達(dá)
- 上海硅酸鹽所在3D打印碳化硅陶瓷研究中取得新進(jìn)展[ 07-04 17:25 ]
- 碳化硅（SiC）陶瓷由于其易氧化、難熔融、高吸光，成為3D打印陶瓷中亟待攻克的難題，目前大多數(shù)3D打印SiC陶瓷方法中打印材料固含量較低、硅含量較高、力學(xué)性能較低，普遍采用化學(xué)氣相沉積CVI（ChemicalVaporInfiltration）或者前驅(qū)體浸漬裂解PIP（PrecursorInfiltrationPyrolysis）等后處理工藝提高材料固含量來實(shí)現(xiàn)陶瓷材料綜合性能的提升，這樣勢必降低3D打印SiC陶瓷工藝的優(yōu)越性。 近日，中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所黃政仁研究員團(tuán)隊(duì)陳健副研究員首次提出高溫熔融沉積
- 碳化硅上車時(shí)機(jī)已成熟？[ 06-25 16:51 ]
- 不管從SiC自身前景還是市場的追捧程度來看，SiC的商業(yè)化的進(jìn)程總會(huì)存在各種各樣的問題，而一旦涉及「上車」這個(gè)話題，難度似乎又提升了幾個(gè)等級。 隨著新能源汽車市場迅速崛起，再加功率半導(dǎo)體廠商與車企的產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同“作戰(zhàn)”，跨越車規(guī)級SiC的門檻，成功“上車”的腳步也顯著加快。 碳化硅真的是讓整個(gè)電動(dòng)汽車產(chǎn)業(yè)徹底“著了迷”，而電動(dòng)汽車在高速增長的同時(shí)也帶動(dòng)了市場對碳化硅功率器件的需求。 讓電更有效的技術(shù)正變得越來越關(guān)鍵。不管是SiC
