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聯(lián)系金蒙新材料
- 碳化硅晶片去除表面損傷的4種常用方法[ 05-25 15:30 ]
- 碳化硅單晶生長(zhǎng)之后是晶碇，而且具有表面缺陷，是沒法直接用于外延的，這就需要加工。其中，滾圓把晶碇做成標(biāo)準(zhǔn)的圓柱體，線切割會(huì)把晶碇切割成晶片，各種表征保證加工的方向，而拋光則是提高晶片的質(zhì)量。 晶片的表面會(huì)有損傷，損傷源于本來晶體生長(zhǎng)的缺陷、前面加工步驟中的破壞。對(duì)于局部損傷，世界上有四種方法：不管、更換、修補(bǔ)、去除；對(duì)于碳化硅表面的損傷層，不管不顧肯定不行，因?yàn)闀?huì)影響器件的成品率；更換晶片，不就是砸自己的飯碗嘛；修補(bǔ)其實(shí)是再次生長(zhǎng)，現(xiàn)在沒有低成本的方案；而去除是一條還算可行的，用一定的材料廢棄，來提高總體材料
- “三駕馬車”拉動(dòng)碳化硅崛起[ 05-24 16:18 ]
- 行業(yè)周知，新能源汽車發(fā)展十分迅猛，而且對(duì)硅芯片和碳化硅芯片需求量很大。未來，碳化硅芯片如何滿足新能源汽車的需求，成為了市場(chǎng)關(guān)注的焦點(diǎn)。 隨著摩爾定律的放緩，后摩爾時(shí)代對(duì)于各種新材料的導(dǎo)入和工藝的演進(jìn)起到了很大的推動(dòng)作用。業(yè)內(nèi)人士徐偉指出，“技術(shù)、資金和應(yīng)用市場(chǎng)這“三駕馬車”的推動(dòng)，也成為后摩爾時(shí)代最顯著的特點(diǎn)。比如iPhone現(xiàn)象或者說智能手機(jī)現(xiàn)象，它在應(yīng)用引領(lǐng)上是非常突出的。” 從某種意義上講，就像碳化硅、氮化鎵的這樣的崛起，或者說爆發(fā)式的增長(zhǎng)，實(shí)際上也
- 碳化硅芯片產(chǎn)業(yè)未來可期[ 05-23 17:12 ]
- 集微網(wǎng)消息，當(dāng)前，汽車動(dòng)力系統(tǒng)在發(fā)生三大變化，動(dòng)力來源從內(nèi)燃機(jī)演變?yōu)殡妱?dòng)機(jī)，功率半導(dǎo)體材料從硅轉(zhuǎn)向碳化硅，電壓平臺(tái)從400V升級(jí)到800V?？缛胄履茉雌?，為了滿足大電流、高電壓的需求，搭載的功率半導(dǎo)體也大幅提升，具體而言，碳化硅功率器件在新能源汽車中的應(yīng)用場(chǎng)景包括：主驅(qū)逆變器、OBC（車載充電器）、快速充電樁，以及大功率DC/DC等。其中，碳化硅在800V主電機(jī)控制器應(yīng)用是大勢(shì)所趨。 ST最早量產(chǎn)并大量應(yīng)用于特斯拉，并用較低的價(jià)格搶占市場(chǎng)份額，以達(dá)到規(guī)模經(jīng)濟(jì)。在過去的幾年時(shí)間里，全球碳化硅市場(chǎng)上相關(guān)企業(yè)動(dòng)作
- SiC模塊可提升電動(dòng)汽車功率及續(xù)航能力[ 05-21 11:48 ]
- 碳化硅加速性能好。寬禁帶最直接的好處，有更高的擊穿場(chǎng)強(qiáng)，也就是耐高壓，即是可以控制更高的系統(tǒng)電壓。高電壓意味著低電流，能減少設(shè)備電阻的損耗。 對(duì)電機(jī)設(shè)計(jì)來說，也更容易在小體積下實(shí)現(xiàn)更高功率。 碳化硅可實(shí)現(xiàn)大功率及高續(xù)航。除了寬禁帶帶來的優(yōu)勢(shì)外，碳化硅還有兩大優(yōu)勢(shì)，一個(gè)是飽和電子速度更高，一個(gè)是導(dǎo)熱率更高、耐溫性能更高。 飽和電子速度快，也就是可以通過更大的電流。碳化硅材料的電子飽和速度是硅材料的兩倍，因此在設(shè)備設(shè)計(jì)時(shí)，匹配的電流強(qiáng)度更容易遠(yuǎn)離設(shè)備的飽和電流，也就能實(shí)現(xiàn)在導(dǎo)通狀態(tài)下更低的電阻。
- 碳化硅器件應(yīng)用于逆變器優(yōu)勢(shì)[ 05-20 16:41 ]
- 碳化硅導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗優(yōu)勢(shì)明顯。就電動(dòng)汽車逆變器而言，功率器件是核心能量轉(zhuǎn)換單元，其損耗包含兩部分，導(dǎo)通損耗Econ和開關(guān)損耗Esw。 碳化硅在電流比較小也就是輕載的工況下導(dǎo)通損耗優(yōu)勢(shì)是比較明顯的，再結(jié)合輕載工況開關(guān)損耗占比更大（碳化硅開關(guān)損耗也低），這也印證了為什么碳化硅更適合城市工況。因此逆變器應(yīng)用碳化硅MOS體現(xiàn)在效率Map上就是高效區(qū)面積比較大。 另外，碳化硅MOS打開時(shí)雙向?qū)ǎ忠?guī)避了IGBT模塊在續(xù)流時(shí)，F(xiàn)RD的導(dǎo)通壓降比IGBT大的問題，進(jìn)一步降低導(dǎo)通損耗。 碳化硅可降低整車能耗
