聯(lián)系金蒙新材料
- 碳化硅功率器件的性能優(yōu)勢[ 09-19 17:07 ]
- 碳化硅在半導體中存在的主要形式是作為襯底材料，基于其優(yōu)良的特性，碳化硅襯底的使用極限性能優(yōu)于硅襯底，可以滿足高溫、高壓、高頻、大功率等條件下的應用需求，當前碳化硅襯底已應用于射頻器件及功率器件。碳化硅器件優(yōu)點如下： （1）耐高壓。擊穿電場強度大，是硅的10倍，用碳化硅制備器件可以極大地提高耐壓容量、工作頻率和電流密度，并大大降低器件的導通損耗。所以在實際應用過程中，與硅基相比可以設計成更小的體積，約為硅基器件的1/10。 （2）耐高溫。半導體器件在較高的溫度下，會產生載流子的本征激發(fā)現(xiàn)象，造成器件失效。
- 碳化硅襯底領域國產替代成效顯著[ 09-17 15:03 ]
- 碳化硅作為第三代半導體材料的主要代表之一，其技術發(fā)展也至關重要。雖然國內碳化硅的技術水平與國外有所差距，但國內企業(yè)在2-6英寸的半絕緣型和導電型碳化硅襯底領域均已實現(xiàn)部分國產替代，8英寸晶圓也在研制過程中，國產替代進程講持續(xù)突破。 碳化硅市場產業(yè)鏈主要分為晶圓襯底制造、外延片生產、碳化硅器件研發(fā)和裝備封裝測試四個部分，分別占市場總成本的50%、25%、20%、5%，由于具備晶體生長過程繁瑣，晶圓切割困難等特點，碳化硅襯底的制造成本一直處于高位。目前高質量襯底的應用主要集中于WolfSpeed、II-VI、RO
- Wolfspeed宣布斥巨資擴產碳化硅晶圓產能[ 09-15 16:27 ]
- 9月9日，碳化硅半導體技術全球領導者Wolfspeed宣布將在北卡羅來納州投建200mm（8吋）碳化硅晶圓項目，一期投資13億美元，預計2024年投產；二期預計投資48億美元，到2030年投產，投資目標是使Wolfspeed達到目前產能的十倍。 Wolfspeed首席執(zhí)行官GreggLowe表示，碳化硅芯片能夠在500華氏度以上運行，電壓大約是傳統(tǒng)硅片可以處理的10倍，基于碳化硅的芯片已在電動汽車中找到一席之地，它們用于逆變器——該組件的作用是將電力從汽車電池傳輸?shù)绞管囕嗈D動的電機。L
- 碳化硅器件工藝難點在哪里？[ 09-14 17:19 ]
- 襯底片完了之后就是長外延，外延之后就是一系列的光刻，刻蝕，涂膠，沉積，清洗，離子注入等工藝，和硅工藝基本一致，然后就是后道的晶圓切die，封裝測試等，基本流程和硅差不多。 其中長外延，光刻膠，背面退火，刻蝕，以及氧化柵極工藝區(qū)別，歐姆接觸和硅工藝區(qū)別非常大。 硅的外延工藝就是普通的硅外延爐之類價格也很便宜國產的大約400-500萬一臺（8英寸的）；碳化硅的是特殊的MOCVD/HT-CVD，且價格非常貴，基本要800-1500萬人民幣一臺，而且產能很低，一臺爐子一個月產能是30片。 外延爐主要是國外
- 為什么碳化硅晶圓成本高？[ 09-13 16:14 ]
- 碳化硅的長晶技術大致有三種，PVT物理氣相傳輸法，HT-CVD高溫氣相沉積法，以及LPE溶液法。 其中PVT比較主流，優(yōu)點是簡單，可靠，成本可控。CVD對設備要求太高，價格很貴，只有高質量的半絕緣襯底會用這個方法；LPE溶液法能做天然P型襯底，但是缺陷很難控制，還需要時間積累，日本公司不少專注于這個路線。 以PVT法為例，這種方案下碳化硅生長速度只有硅材料生長速度的1/100都不到，144小時只有2cm左右的厚度，實在是太慢了，要想獲得更多的產量，只能靠長晶爐數(shù)量堆。 目前國外日新技研和PVATe
