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- 關(guān)于碳化硅市場近期走勢分析[ 03-26 08:52 ]
- 據(jù)磨庫網(wǎng)訊在最新一期磨友圈直播過程中，碳化硅資深人士楊荻帆，百川盈孚碳化硅行業(yè)分析師楊甜珍等業(yè)內(nèi)人士分析了碳化硅一季度的市場行情及未來走勢。 楊荻帆表示，近期碳化硅價格漲聲一片，其上漲原因主要取決于石油焦原料價格上漲。 綠碳化硅的價格創(chuàng)歷史新高，很多廠家呈觀望狀態(tài)。接下來，根據(jù)石油焦的漲勢，原塊價格有突破15000元/噸的可能，可能會持續(xù)到8月份，總體來說形勢不容樂觀。 黑碳化硅方面，目前一級塊交易較多，隨著石油焦的漲幅，后期慢漲的可能性比較大。 楊總說，走訪山東、江蘇等地區(qū)的碳化硅生廠家時
- 半絕緣型碳化硅襯底的主要應(yīng)用[ 03-24 16:23 ]
- 半絕緣型碳化硅襯底主要應(yīng)用于制造氮化鎵射頻器件。通過在半絕緣型碳化硅襯底上生長氮化鎵外延層，制得碳化硅基氮化鎵外延片，可進一步制成氮化鎵射頻器件。碳化硅基氮化鎵射頻器件已成功應(yīng)用于眾多領(lǐng)域，以無線通信基礎(chǔ)設(shè)施和國防應(yīng)用為主。無線通信基礎(chǔ)設(shè)施方面，5G具有大容量、低時延、低功耗、高可靠性等特點，要求射頻器件擁有更高的線性和更高的效率。相比砷化鎵和硅基LDMOS射頻器件，以碳化硅為襯底的氮化鎵射頻器件同時具有碳化硅良好的導(dǎo)熱性能和氮化鎵在高頻段下大功率射頻輸出的優(yōu)勢，能夠提供下一代高頻電信網(wǎng)絡(luò)所需要的功率和效能，成為5
- 導(dǎo)電型碳化硅襯底的主要應(yīng)用[ 03-23 16:21 ]
- 導(dǎo)電型碳化硅襯底主要應(yīng)用于制造功率器件。與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同，碳化硅功率器件不能直接制作在碳化硅襯底上，需在導(dǎo)電型襯底上生長碳化硅外延層得到碳化硅外延片，并在外延層上制造各類功率器件。碳化硅功率器件具有高電壓、大電流、高溫、高頻率、低損耗等獨特優(yōu)勢，將極大地提高現(xiàn)有使用硅基功率器件的能源轉(zhuǎn)換效率，對高效能源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域產(chǎn)生重大而深遠的影響，主要應(yīng)用領(lǐng)域有電動汽車/充電樁、光伏新能源、軌道交通、智能電網(wǎng)等。
- 碳化硅具有優(yōu)良的物理和化學(xué)性能[ 03-22 16:17 ]
- 去年發(fā)布的“‘十四五’規(guī)劃和2035年遠景目標綱要”明確提出，我國將加速推動以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體新材料新技術(shù)產(chǎn)業(yè)化進程，催生一批高速成長的新材料企業(yè)。 作為第三代半導(dǎo)體代表材料，碳化硅具有優(yōu)良的物理和化學(xué)性能。 力學(xué)性能：高硬度（克氏硬度為3000kg/mm2），可以切割紅寶石；高耐磨性，僅次于金剛石。 熱學(xué)性能：熱導(dǎo)率超過金屬銅，是Si的3倍，是GaAs的8～10倍，散熱性能好，對于大功率器件非常重要。 化學(xué)性能：耐腐蝕性非常
- 華為猛投SiC賽道有何戰(zhàn)略意圖？[ 03-21 16:13 ]
- 去年9月底，華為發(fā)布了《數(shù)字能源2030》白皮書，白皮書中指出，“電力電子技術(shù)和數(shù)字技術(shù)成為驅(qū)動能源產(chǎn)業(yè)變革的核心技術(shù)”。更高電壓、更高效率、更高功率密度代表了電力電子器件技術(shù)的發(fā)展方向。在2020年之前的50年中，硅基電力電子器件技術(shù)日益成熟，產(chǎn)業(yè)規(guī)模不斷壯大，在能源領(lǐng)域發(fā)揮了不可或缺的作用。然而受材料特性所限，硅基電力電子器件性能正在接近其理論極限，難以繼續(xù)支撐技術(shù)和產(chǎn)業(yè)快速前進的要求。進入新世紀以來，尤其是從2010年至今，諸多新興的半導(dǎo)體材料憑借優(yōu)越的材料特性為電力電子器件技術(shù)帶來了
