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- 碳化硅陶瓷換熱器的研究背景及現(xiàn)狀[ 04-11 15:11 ]
- 上世紀八十年代，國外曾用碳化硅化熱元件制作陶瓷換熱器。我國成都科技大學化機教研室八十年代研制碳化硅管高溫換熱器，并于1986年用于碳酸鉀工業(yè)生產。該換熱器主要換熱元件由碳化硅陶瓷材料組成，高溫煙氣在管外，被加熱氣體在管內，兩者呈錯流。碳化硅管可承受1540℃高溫，所以高溫煙氣可直接進入換熱器中進行交換。高溫煙氣有較大的輻射熱，而碳化硅管可以充分利用高溫氣體輻射傳熱和火焰輻射傳熱。該技術在碳酸鉀生產中應用，節(jié)能和增產都獲得明顯的效果。使用碳化硅管換熱器后，空氣預熱溫度從350℃提高到500℃，加快了干燥溫度，日產量由
- Microchip推出3.3kV碳化硅(SiC)功率器件[ 04-09 16:06 ]
- 近期，Microchip宣布擴展其SiC產品組合，推出業(yè)界最低導通電阻[RDS(on)]3.3kVSiCMOSFET和最高額定電流SiCSBD。 Microchip分立產品業(yè)務部副總裁LeonGross表示：我們新的3.3kVSiC功率產品系列使客戶能夠輕松、快速、自信地轉向高壓SiC，并受益于這種令人興奮的技術相對于基于硅設計的諸多優(yōu)勢。”
- 安森美利用SiC/GaN推出大功率圖騰柱PFC控制器[ 04-09 09:01 ]
- 近日，安森美推出了全新的大功率圖騰柱PFC控制器，這是一款利用圖騰柱PFC技術實現(xiàn)高效電源的產品。 除了圖騰柱PFC控制器，Onsemi還為圖騰柱的評估板提供SiCMOSFET和GaNHEMT。使用Si-MOSFET用于交流線路同步整流器；利用GaNHEMT單元用于高速開關。 圖騰柱PFC
- 英飛凌推出全新 CoolSiC MOSFET[ 04-08 13:50 ]
- 近日，英飛凌宣布在其現(xiàn)有的高壓碳化硅(SiC)MOSFETCoolSic系列中增加一個650V系列。 該產品建立在其先進的SiC溝槽技術之上。與上一代硅(Si)半導體相比，這些650V系列MOSFET的反向恢復電荷(Qrr)和漏源電荷(Qoss)降低了80%，即使在較高電流下也能實現(xiàn)出色的開關性能。這些降低的開關損耗允許高頻、高效操作，從而能夠使用更小的濾波組件，并最終提高功率密度。
- AehrTestSystems宣布：收到2230萬碳化硅晶圓訂單[ 04-07 13:41 ]
- 近日，AehrTestSystems宣布，其領先的碳化硅已收到超過350萬美元（2230萬人民幣）的訂單WaferPak™全晶圓接觸器的測試和老化客戶，用于多種新的碳化硅器件設計以及多個碳化硅器件的批量生產能力訂單，這些器件現(xiàn)在正在加速生產以滿足電動汽車(EV)半導體的批量生產能力。 Aehr的FOX-XP系統(tǒng)和WaferPaks不僅支持目前大量出貨的6英寸（150毫米）直徑碳化硅晶圓，而且還支持未來的8英寸（200毫米）晶圓。
