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聯(lián)系金蒙新材料
- 山東金蒙新材料董事長(zhǎng)胡尊奎 再次榮獲“臨沭縣優(yōu)秀企業(yè)家”榮譽(yù)稱號(hào)[ 03-06 17:26 ]
- 3月5日，在臨沭縣工業(yè)振興暨優(yōu)化發(fā)展環(huán)境大會(huì)上，山東金蒙新材料股份有限公司董事長(zhǎng)胡尊奎再次榮獲“臨沭縣優(yōu)秀企業(yè)家”榮譽(yù)稱號(hào)，再塑榜樣力量。 山東金蒙新材料股份有限公司作為根植紅色沂蒙大地，生長(zhǎng)在共和國(guó)旗幟下的國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)，始終堅(jiān)持創(chuàng)新精神為企業(yè)內(nèi)核，把創(chuàng)新基因融入發(fā)展血脈，在董事長(zhǎng)胡尊奎的帶領(lǐng)下，凝心聚力，昂揚(yáng)奮進(jìn)，以可持續(xù)發(fā)展為導(dǎo)向，高效率把科研成果轉(zhuǎn)化為市場(chǎng)“緊俏”產(chǎn)品，為企業(yè)發(fā)展賦能，為全縣創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)發(fā)展做出示范，當(dāng)好
- 山西爍科晶體成功實(shí)現(xiàn)8英寸碳化硅晶體小批量量產(chǎn)[ 03-05 13:34 ]
- 近日，電科材料下屬山西爍科晶體有限公司（以下簡(jiǎn)稱爍科公司）成功研制出8英寸碳化硅晶體，實(shí)現(xiàn)了8英寸N型碳化硅拋光片小批量生產(chǎn)。 由于碳化硅對(duì)溫度及壓力控制有著極其苛刻的要求，而且其本身具有的高硬度、高脆性、低斷裂韌性等特點(diǎn)，都使得大尺寸碳化硅單晶的制備及切割成為非常棘手的問(wèn)題。 爍科公司專業(yè)深耕碳化硅材料領(lǐng)域，經(jīng)過(guò)刻苦攻關(guān)，于去年8月研制出8英寸碳化硅晶體，成功解決大尺寸單晶制備的重要難題。近日又再次取得重大突破，實(shí)現(xiàn)8英寸N型碳化硅拋光片小批量生產(chǎn)，向8英寸國(guó)產(chǎn)N型碳化硅拋光片的批量化生產(chǎn)邁出了關(guān)鍵一
- 晶盛機(jī)電年產(chǎn)40萬(wàn)片碳化硅襯底晶片生產(chǎn)項(xiàng)目3月開工[ 03-04 09:30 ]
- 近日，由浙江晶盛機(jī)電股份有限公司總投資50億元建設(shè)的“碳化硅襯底晶片生產(chǎn)項(xiàng)目”落戶寧夏銀川。其中，一期預(yù)計(jì)3月開工建設(shè)，投資總額33.6億元，一期建成達(dá)產(chǎn)后預(yù)計(jì)年產(chǎn)6英寸碳化硅晶片40萬(wàn)片。 晶盛機(jī)電主要圍繞硅、碳化硅、藍(lán)寶石三大主要半導(dǎo)體材料開展業(yè)務(wù)，具備全球最大的700Kg藍(lán)寶石生長(zhǎng)能力。據(jù)2月7日募資投建碳化硅襯底晶片生產(chǎn)基地項(xiàng)目和年產(chǎn)80臺(tái)套半導(dǎo)體材料拋光及減薄設(shè)備生產(chǎn)制造項(xiàng)目的公告披露，晶盛機(jī)電已組建一條從原料合成-晶體生長(zhǎng)-切磨拋加工的中試產(chǎn)線，6英寸碳化硅晶片已獲得客戶驗(yàn)
- 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第二研究所（電科二所）成功研制出首片碳化硅芯片[ 03-03 08:23 ]
- 近日，據(jù)中國(guó)日?qǐng)?bào)報(bào)道，中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第二研究所（電科二所）成功研制出首片碳化硅芯片，下一步，電科二所將全力以赴推進(jìn)實(shí)驗(yàn)室二期碳化硅芯片中試線和碳化硅器件智能封裝線的建設(shè)。 2021年9月，中國(guó)電科二所承擔(dān)山西太原某實(shí)驗(yàn)室6英寸SiC芯片整線系統(tǒng)集成項(xiàng)目，該項(xiàng)目要求4個(gè)月內(nèi)完成整線設(shè)備評(píng)估、選型、采購(gòu)、安裝、調(diào)試，并研制出第一片芯片。電科二所調(diào)動(dòng)資源力量，在SiC激光剝離設(shè)備研制上取得突破性進(jìn)展，先后完成單機(jī)設(shè)備調(diào)試、碳化硅SBD整線工藝調(diào)試。 碳化硅硬度極高，傳統(tǒng)襯底加工工藝切割速度慢，晶體與切割
- 高導(dǎo)熱碳化硅陶瓷的需求量急劇增長(zhǎng)[ 03-02 09:19 ]
- 碳化硅作為一種重要的結(jié)構(gòu)陶瓷材料，憑借其優(yōu)異的高溫力學(xué)強(qiáng)度、高硬度、高彈性模量、高耐磨性、高導(dǎo)熱性、耐腐蝕性等性能，不僅應(yīng)用于高溫窯具、燃燒噴嘴、熱交換器、密封環(huán)、滑動(dòng)軸承等傳統(tǒng)工業(yè)領(lǐng)域，還可作為防彈裝甲材料、空間反射鏡、半導(dǎo)體晶圓制備中夾具材料及核燃料包殼材料。 隨著科技的不斷發(fā)展，碳化硅陶瓷在半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用需求量急劇增長(zhǎng)，而高熱導(dǎo)率是其應(yīng)用于半導(dǎo)體制造設(shè)備元器件的關(guān)鍵指標(biāo)，因此加強(qiáng)高導(dǎo)熱碳化硅陶瓷的研究至關(guān)重要。減少晶格氧含量、提高致密性、合理調(diào)控第二相在晶格中的分布方式是提高碳化硅陶瓷熱導(dǎo)率的主要方法
